TP65H050WS / TP65H035WS Трэцяе пакаленне (Gen III) Нітрыд галію (GaN) Полевыя транзістары (FETs)

GaN FETs Transphorm мае больш ціхае пераключэнне за кошт памяншэння электрамагнітных перашкод (EMI) і павышэння імунітэту

TP65H050WS і TP65H035WS Transphorm з'яўляюцца ГНТ 650 Вт ГН III. Яны прыводзяць да зніжэння ўзроўню ІПС, павышанай абароненасці ад засаўкі і большага запасу ў месцах прымянення схем. 50 мОм TP65H050WS і 35 мОм TP65H035WS даступныя ў стандартных пакетах TO-247.

MOSFET і мадыфікацыі дызайну дазваляюць прыладам Gen III забяспечваць павышанае парогавае напружанне (шумаізаляцыя) да 4 V ад 2,1 V (Gen II), што выключае неабходнасць адмоўнага прывада засаўкі. Надзейнасць засаўкі павялічылася ад Gen II на 11% да максімуму да ± 20 V. Гэта прыводзіць да больш спакойнай камутацыі, і платформа забяспечвае павышэнне прадукцыйнасці пры больш высокіх узроўнях току пры дапамозе простай знешняй схемы.

Кампанія Seasonic Electronics 1600T - платформа з татэрам-полюсам магутнасцю 1600 Вт, якая выкарыстоўвае гэтыя высокія напругі GaN FET, каб прынесці 99% эфектыўнасць карэкцыі каэфіцыента магутнасці (PFC) у зарадных прыладах (электронныя скутэры, прамысловыя і шмат іншага), харчаванне ПК, серверы і гульнявыя рынкі. Перавагі выкарыстання гэтых БНТ з крэмніевай платформай 1600T ўключаюць павышэнне эфектыўнасці на 2% і павелічэнне шчыльнасці магутнасці на 20%.

На платформе 1600T выкарыстоўваецца TP65H035WS Transphorm для дасягнення падвышанай эфектыўнасці ў схемах з цвёрдым і мяккім пераключэннем і прадастаўленню карыстальнікам магчымасцей пры распрацоўцы прадуктаў харчавання. TP65H035WS спалучаецца з звычайна выкарыстоўваюцца драйверамі засаўкі для спрашчэння канструкцый.