Абярыце краіну або рэгіён.

SK hynix інвестуе 54,3 трыльёна KRW у фабры Yongin Y2 і Cheongju M17 для задавальнення попыту на памяць для ІІ

SK hynix

СЕУЛ, Паўднёвая Карэя, 7 жніўня 2026 года — SK hynix аб'явіла, што пабудуе новыя вытворчыя магутнасці па вытворчасці паўправодаў у Ёнгіні і Чхонджу, Паўднёвая Карэя, для задавальнення растучага попыту на памяць у эпоху ІІ.

Савет дырэктараў кампаніі зацвердзіў інвестыцыі ў памеры 35,2 трыльёна KRW у фабры Yongin Y2 і 19,1 трыльёна KRW у фабры Cheongju M17, што складае ўсяго каля 54,3 трыльёна KRW.

Гэты рашэнне з'яўляецца яшчэ адным крокам у рэалізацыі сярэдне- і далёкатарміновай інвестыцыйнай стратэгіі, аб'яўленай у чэрвені. Раней SK hynix прадставіла планы інвеставаць 600 трыльёнаў KRW у Ёнгінскі кластар паўправодаў і 100 трыльёнаў KRW у пашырэнне сваёй вытворчай базы ў Чхонджу. Будоўля Y1, першай фабры ў Ёнгіні, прасоўваецца ў адпаведнасці з планам, у той час як апошняе рашэнне адкрывае наступную фазу развіцця фабрык у Ёнгіні і Чхонджу.

Паводле даследчай кампаніі Omdia, папыт на рынку DRAM і NAND флэш, як чакаецца, будзе расці ў сярэднім на 19% у год з мінулага года да 2030 года. SK hynix адзначыла, што гэты рост не з'яўляецца часовым павышэннем у галіне, але адлюстроўвае структурную змену, у якой памяць пераўтварылася з універсальнага кампанента ў асноўную інфраструктуру, якая ўплывае на прадукцыйнасць ІІ.

“У эпоху ІІ тэхналагічная канкурэнтная здольнасць ужо не дастатковая для падтрымання перавагі. Здольнасць пастаўляць дастатковую колькасць прадукцыі, калі кліенты яе патрабуюць, стала сапраўднай мерай канкурэнтнай здольнасці,” — адзначыў SK hynix. “Гэтае рашэнне аб інвестыцыях было прынята пасля дбайнай ацэнкі попыту на рынку.”

Y2 стане другой з чатырох фабрык, якія будуць пабудаваны паслядоўна ў межах Ёнгінскага кластару паўправодаў. З агульнай плошчай каля 341 000 пёна, або 1,13 мільёна квадратных метраў, аб'ект будзе служыць базай для вытворчасці DRAM.

Будоўля запланавана на пачатак у ліпені 2027 года, а першы чысты пакой чакаецца ў адкрыцці ў чэрвені 2029 года. Фабрыка ў асноўным будзе выпускаць прадукцыю наступнага пакалення DRAM, уключаючы памяць высокай прапускной здольнасці. Будоўля фабрыкі Y1 таксама прасоўваецца гладка, з яе першым чыстым пакоем, запланаваным на адкрыццё ў лютага 2027 года.

Раней SK hynix прасоўвала тэрмін завяршэння ўсяго Ёнгінскага кластару паўправодаў з 2045 года да 2033 года, калі ўсе чатыры фабрыкі павінны быць завершаны. Праект Y2 прадстаўляе другую фазу гэтага паскоранага плана, з інвестыцыямі, якія будуць ажыццяўляцца паэтапна да кастрычніка 2031 года.

Інвестыцыі таксама пакрываюць будаўніцтва будынка для падтрымкі супрацоўнікаў з офіснымі і сацыяльнымі аб'ектамі, інтэграваным цэнтрам даследаванняў і развіцця для распрацоўкі прадуктаў, эксперыментаў, тэставання і аналізу, а таксама звязанай інфраструктуры.*

*Звязаная інфраструктура ўключае сістэмы водападыглення, агульныя камунальныя аб'екты для электрычнасці, сувязі, вады, каналізацыі і цеплавой размеркацыі, падстанцыі і склады.

Ёнгінскі кластар паўправодаў размешчаны ў Вонсам-міён, Чэоін-гун, Ёнгін, правінцыя Кёнгі, і ахоплівае прыкладна 1,26 мільёна пёна, або 4,16 мільёна квадратных метраў. Першая фаза электрычнай і воднай інфраструктуры, неабходнай для падтрымкі Y2, завершана на 99% і блізка да завяршэння. Кампанія плануе прасоўваць будаўніцтва фабрык і інфраструктуры паралельна, каб Y2 мог праходзіць па графіку без затрымак у будаўніцтве.

Паколькі паслугі ІІ становяцца шырока прынятымі, папыт на NAND флэш расце хутка, падштурхнуты прадпрымальнымі твердотельнымі носьбітамі. Папыт на KV cache* у інферэнцыі ІІ таксама павялічваецца, у той час як узнікаючы прыём агенцкай ІІ і фізічнай ІІ, чакаецца, што далей пашырыць прымяненне NAND флэш.

*KV cache — гэта тэхніка, якая захоўвае і паўторна выкарыстоўвае раней створаныя ключавыя і вартасныя вектары, каб зменшыць паўторныя разлікі і палепшыць эфектыўнасць апрацоўкі.

SK hynix выбрала Чхонджу для сваёй новай базы па вытворчасці NAND флэш, бо гэтае месца дазваляе кампаніі паскорыць будаўніцтва. Кампус у Чхонджу ўжо мае вытворчыя аб'екты M11, M12 і M15 NAND флэш, што дазваляе новай фабры скарыстацца эксплуатацыйнымі сінэргіямі з існуючымі вытворчымі лініямі. Мясцовасць, электрасілкаванне, водазабеспячэнне і іншая інфраструктура таксама ў значнай ступені гатовы.

Фабрыка M17 будзе мець агульную плошчу прыкладна 206 000 пёна, або 680 000 квадратных метраў. Будоўля запланавана на пачатак у лютым 2027 года, а першы чысты пакой чакаецца ў адкрыцці ў снежні 2028 года. Інвестыцыі будуць працягвацца да красавіка 2031 года і будуць рэалізаваны па этапах у адпаведнасці з прагрессі бізнесу.

SK hynix паведаміла, што будзе рабіць перспектыўныя інвестыцыі ў вытворчую інфраструктуру на аснове бягучых абмеркаванняў з кліентамі адносна іх сярэднетэрміновых і доўгатэрміновых патрабаванняў. Будоўля фабрыкі будзе працягвацца ў запланаваным парадку, у той час як пашырэнне чыстых памяшканняў і ўстаноўка абсталявання будуць праведзены паэтапна ў адпаведнасці з фактычным попытам кліентаў і ўмовамі рынку для паляпшэння эфектыўнасці інвестыцый.

Кампанія чакае, што інвестыцыі ўмацуюць яе аснову для будучага росту, павысяць канкурэнтаздольнасць паўднёвакарэйскай паўправадніковай экосістэмы і падтрымліваюць рэгіянальны эканамічны развіццё. Вялікомаштабныя праекты ў Ёнгіне і Чхончу, таксама чакаецца, што створаць дадатковыя магчымасці для росту для партнёрскіх кампаній, згенеруюць працоўныя месцы і стымулююць мясцовую гандлевую актыўнасць, спрыяючы ўстойліваму росту нацыянальнай эканомікі.

«Гэтая інвестыцыя накіравана на захоп магчымасцяў для росту ў адказ на пашырэнне рынку», - сказаў прадстаўнік SK hynix. «Спалучаючы перспектыўнае планаванне інфраструктуры, мы забяспечым вытворчыя магутнасці, неабходныя для стабілізацыі глабальнай пастаўкі паўправаднікоў для штучнага інтэлекту і ўсталюем SK hynix як вядучага партнёра ў інфраструктуры ІІ».