Паводле крыніц у галіне, на якія спасылаецца ZDNet, Samsung Electronics пераглядае мэту NRD-K Line 2, якая знаходзіцца на стадыі будаўніцтва на яго кампусе ў Гихунге. Кампанія разглядае магчымасць пераўтварэння першапачаткова запланаванай лініі даследаванняў і распрацовак у лінію вытворчасці, прысвечаную вырабу базавых крапежаў 2nm для высокааб'ёмнай памяці наступнага пакалення (HBM). Гэты крок накіраваны на падрыхтоўку да хутка растучага попыту на HBM ад буйных кліентаў, такіх як Nvidia.
Паводле крыніц у галіне, на якія спасылаецца ZDNet, Samsung Electronics пераглядае мэту NRD-K Line 2, якая знаходзіцца на стадыі будаўніцтва на яго кампусе ў Гихунге. Кампанія разглядае магчымасць пераўтварэння першапачаткова запланаванай лініі даследаванняў і распрацовак у лінію вытворчасці, прысвечаную вырабу базавых крапежаў 2nm для высокааб'ёмнай памяці наступнага пакалення (HBM). Гэты крок накіраваны на падрыхтоўку да хутка растучага попыту на HBM ад буйных кліентаў, такіх як Nvidia.
NRD-K Line 2 спачатку была распрацавана для развіцця перадавых працэсаў. Паводле апошняга плана, аб'ект будзе галоўным чынам пастаўляць базавыя крапежы для вырабленай на замову прадукцыі HBM і HBM5 пасля пачатку эксплуатацыі. Samsung вырашыла вырабляць базавыя крапежы HBM5 з выкарыстаннем працэсу 2nm на аснове сваёй архітэктуры gate-all-around (GAA). Чакаецца, што прадукты наступнага пакалення будуць забяспечваць хуткасць перадачы дадзеных больш за 50% вышэйшую, чым HBM4E, што робіць звычайныя дызайны базавых крапежаў усё менш спраўнымі для задавальнення патрабаванняў да пропускной здольнасці і спажывання энергіі. Seoul Economic Daily раней паведамляў, што Samsung упершыню раскрыла падрабязнасці свайго рашэння HBM5 у чэрвені гэтага года.
Лінія плануецца да пачатку эксплуатацыі ў другой палове 2028 года. Крыніцы паведамляюць, што паколькі аб'ект адносна малы, ён, хутчэй за ўсё, будзе працаваць па мадэлі "send-fab" у якасці дапаможнага завода. Замест таго, каб самастойна апраўляць увесь працэс вытворчасці пласцін, ён будзе атрымліваць пласціны з асноўных ліній высокабюджэтнай вытворчасці Samsung і выконваць толькі выбраныя этапы працэсу. Аб'ект будзе дапамагаць пашыраць магутнасці Samsung на перадавых нормах, а не працаваць як паўнавартасная самастойная вытворчая лінія.
Праект застаецца аддаленым прыкладна на два гады ад запланаванага запуску, і фінальны план пакуль не зацверджаны. Хоць унутраны прапанова ў асноўным ужо складаецца, заказы на набыццё абсталявання яшчэ не былі выданы. Сумма інвестыцый і канчатковае прызначэнне аб'екта ўсё яшчэ могуць быць адкарэктаваны ў адказ на змены ў попыт на паўправаднікі.
NRD-K - гэта інтэграваны комплекс для даследаванняў і распрацовак, які будуе Samsung з інвестыцыямі каля 20 трыльёнаў вон. Сайт плануецца абстараць трох вытворчых ліній. Лінія 1 была завершана ў канцы 2024 года, у той час як падрыхтоўка пляцоўкі для Лініі 2 пачалася ў гэтым годзе, і зараз вядзецца работа па закладцы фундамента.
Магчымая пераўтварэнне Samsung даследчай і распрацоўчай лініі ў спецыялізаваную лінію вытворчасці базавых крапежаў HBM адлюстроўвае яе стратэгію ўмацавання каардынацыі паміж бізнесамі памяці і вытворчасці. Продукты HBM5 і належная прадукцыя HBM, распрацаваныя для наступнага пакалення GPU Feynman ад Nvidia, будуць патрабаваць высокапрадукцыйных базавых крапежаў. Калі Samsung зможа вырабляць гэтыя базавыя крапежы 2nm унутры кампаніі, яна можа ўмацаваць сваю канкурэнтную пазіцыю і атрымаць большы кантроль над магутнасцю вытворчасці асноўнага кампанента HBM.