Абярыце краіну або рэгіён.

Samsung заяўляе, што HBM5 будзе выкарыстоўваць 2 нм GAA-працэс, што забяспечыць больш за 50% павышэнне прадукцыйнасці ў параўнанні з HBM4E

HBM4E

27 ліпеня Samsung Electronics апублікавала афіцыйнае інтэрв'ю з Ку Ча-хьёнам, кіраўніком тэхналагічнага развіцця бізнесу паўправаднікоў кампаніі. У інтэрв'ю Samsung ўпершыню выклала архітэктуру працэсу, чаканыя паляпшэнні прадукцыйнасці і мэтавыя прыкладання сваёй высокабітнай памяці наступнага пакалення HBM5, прапанаваўшы больш ясныя ўказанні для дарожнай карты HBM у галіны.

Ку паведаміў, што чакаецца, што HBM5 будзе працаваць больш чым на 50% хутчэй, чым цяперашняе масавае вытворчасць пакалення HBM4E. Асноўны базавы чып будзе выраблены з выкарыстаннем працэсу транзістараў з кантролем у 2 нм і будзе спалучаны з далейшымі мадэрнізаванымі, высокаінтэграванымі тэхналогіямі звязкі праз кремніевыя пласты. Дызайн накіраваны на забеспячэнне павышэння прадукцыйнасці па архітэктуры транзістараў, тэхналогіі працэсу вафлі і складзеных міжклеткавых злучэннях.

Samsung будзе кіравацца вопытам працэсу і магчымасцямі масавага вытворчасці, якія яна атрымала, вырабляючы базавыя чыпы HBM4 на сваім узроўні 4 нм. Уводзячы ў HBM5 прагрэсіўны 2-нм працэс загадзя, кампанія намагаецца ўмацаваць сваю тэхналагічную пазіцыю на рынку высокага класа памяці для ШІ.

У плане пашырэння рынку Samsung плануе выкарыстоўваць HBM5 як асноўны прадукт для пашырэння свайго кліенцкага ахопу на некалькіх рынках. Акрамя падтрымкі навучання вялікіх мадэляў штучнага інтэлекту і прымяненняў высокапрадукцыйных вылічэнняў, чакаецца, што прадукт зможа пашырыцца ў мабільныя прылады, аўтамабільную электроніку, гуманоідных робатаў і іншыя развіваючыя сегменты. Праз свае высокакласныя памяці Samsung намагаецца задаволіць попыт на вылічэнні ў некалькіх катэгорыях прылад і далей пашырыць сваю экосістэму паўправаднікоў.

Інтэрв'ю адлюстроўвае сучасныя планы тэхналагічнага развіцця Samsung. Кампанія не раскрыла падрабязнасці пра павелічэнне выходнасці для свайго 2-нм працэсу GAA, праблемы масавага вытворчасці высокаінтэграванага збору TSV або графік адбору і серыйнага вытворчасці HBM5.

Галінедзіцёры шырока чакаюць, што HBM5 стане стандартным рашэннем для высокакласных акселератараў ШІ прыкладна ў 2028 годзе. Дадатковыя дэталі аб тэхнічных спецыфікацыях прадукта, кваліфікацыях кліентаў і вытворчых магутнасцях, як чакаецца, будуць выпушчаны на будучых тэхналагічных мерапрыемствах Samsung або брыфінгах па фінансавых выніках.