Глабальны рынак памяці працягвае разыходзіцца, паколькі два вядучыя вытворцы памяці Паўднёвай Карэі сканцэнтраваны на пашырэнні ёмістасці 1c DRAM і HBM, адначасова запавольваючы тэмпы распрацоўкі флэш-памяці NAND наступнага пакалення.Гэты зрух стварыў каштоўнае рынкавае акно для альянсу Kioxia-Sandisk.
Па дадзеных Global Economic са спасылкай на нямецкую тэхналагічную сетку ComputerBase, Kioxia і Sandisk збіраюцца значна павялічыць свае інвестыцыі ў NAND, выкарыстоўваючы свае тэхналогіі і вытворчыя магутнасці для задавальнення попыту на рынку цэнтраў апрацоўкі дадзеных AI.
Дадзеныя паказваюць, што амерыкана-японскі альянс NAND плануе выдаткаваць 4,5 мільярда долараў на капітальныя выдаткі ў гэтым фінансавым годзе, што эквівалентна 6,75 трыльёна вон, што азначае рост на 41% у параўнанні з аналагічным перыядам мінулага года.Інвестыцыі ў асноўным будуць сканцэнтраваны на прадуктах NAND з архітэктурай BiCS дзясятага пакалення.
Па дадзеных Nikkei, Kioxia плануе пачаць масавую вытворчасць наступнага пакалення NAND на сваім заводзе Кітакамі ў прэфектуры Іватэ, Японія, у 2026 годзе. Архітэктура прадукту будзе пераходзіць ад 218-слаёвай NAND восьмага пакалення да 332-слаёвай NAND.Для вытворчасці будзе выкарыстоўвацца лінія K2, якая пачала працу ў верасні мінулага года, што дазволіць кампаніі лепш выкарыстоўваць існуючыя вытворчыя рэсурсы.
Апошняе пашырэнне магутнасцей абумоўлена структурным ростам попыту з боку індустрыі штучнага інтэлекту.Па меры таго, як распрацоўка штучнага інтэлекту пераходзіць ад навучання інфраструктуры да шырокамаштабнага разгортвання вываду, попыт на высокапрадукцыйныя прадукты захоўвання дадзеных вялікай ёмістасці працягвае расці.Буйныя пастаўшчыкі воблачных паслуг выдзяляюць больш капітальных выдаткаў цэнтраў апрацоўкі дадзеных на захоўванне, у той час як ёмістасць SSD на GPU вырасла ў два разы за год.Серверы са штучным інтэлектам наступнага пакалення цяпер звычайна аснашчаны дзесяткамі тэрабайт памяці на графічны працэсар, што яшчэ больш спрыяе росту попыту на высокакласныя NAND.
Згодна з ZDNet, Kioxia паставіла масавую вытворчасць BiCS NAND дзесятага пакалення ў якасці асноўнай мэты на 2026 фінансавы год. У параўнанні з папярэднім 218-слаёвым пакаленнем, новы прадукт прапануе павелічэнне шчыльнасці захоўвання на адзінку плошчы на 59% і паляпшэнне хуткасці перадачы даных на 33%.Яго галоўная тэхнічная перавага заключаецца ў дасягненні звышвысокай шчыльнасці захоўвання з меншай колькасцю накладзеных слаёў, што дапамагае спрасціць вертыкальнае тручэнне, паменшыць знос сучаснага абсталявання, паменшыць дэфекты дэфармацыі пласцін і значна знізіць вытворчыя выдаткі.Яго архітэктура QLC можа дасягаць шчыльнасці 37,6 Гбіт/мм², пераўзыходзячы запланаваны прадукт Samsung з 430-слаёвай архітэктурай V10.
У адрозненне ад агрэсіўнага пашырэння ёмістасці амерыканскімі і японскімі кампаніямі, карэйскія вытворцы памяці значна запавольваюць свае дарожныя карты па тэхналогіі NAND.Дадзеныя TrendForce паказваюць, што асноўныя сусветныя пастаўшчыкі NAND, як чакаецца, практычна не дададуць новых магутнасцей у 2026 годзе. Samsung адклала масавую вытворчасць свайго 430-слаёвага NAND дзесятага пакалення да 2027 года і яшчэ не завяршыла заказы на закупку абсталявання.
Галіновыя аналітыкі лічаць, што калі Kioxia і Sandisk працягнуць зніжаць выдаткі і паскораць прыняцце цвёрдацельных назапашвальнікаў QLC карпаратыўнага класа, яны могуць яшчэ больш павялічыць сваю долю на рынку цэнтраў апрацоўкі дадзеных AI.Кампаніі Samsung і SK hynix, якія падтрымліваюцца высокім ураджаем дзевятага пакалення і моцнымі адносінамі з дзяржаўнымі і карпаратыўнымі кліентамі, застануцца вельмі канкурэнтаздольнымі.Чакаецца, што сусветная індустрыя NAND увойдзе ў новую фазу канкурэнцыі.